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[삼성전자, 9만 전자 가능할까? - ②엔비디아 CEO, 젠슨 황이 극찬한 HBM3E] 삼성전자는 세계 최초로 12단 적층 HBM3E 제품 개발에 성공해 고객사에 샘플을 공급했다고 지난달에 밝혔어요. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 데이터 처리 속도를 획기적으로 높인 메모리 칩이에요. 단수가 높을수록 높은 퍼포먼스를 보이지만 기존과 동일한 두께 내에서 단수를 늘려야 하는 조건이 있어서 굉장히 어려운 기술이 요구됩니다.
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현재는 8단이 주력 제품이지만 이번에 공개한 12단 HBM3E, 앞으로는 HBM4에서는 16단으로 높이는 방향으로 점점 단 수를 늘리는 방향으로 개발하는 중이라고 해요.
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*D램(Dynamic Random Access Memory): 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 RAM에 저장되며 전원이 차단되면 내용이 지워져요. DRAM은 램의 한 종류로 저장된 정보가 시간에 따라 소멸되므로 주기적으로 재생시켜야 해요. 구조가 간단해 집적이 용이하여 대용량 임시 기억장치로 사용돼요.
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*HBM(High Bandwidth Memory): SK하이닉스가 최초로 개발하고 양산하고 있는 적층형 고대역폭 메모리로, D램을 쌓아 만들어서 기존 D램보다 데이터 처리 속도가 빠르며 고성능 그래픽 작업 및 AI 학습과 연산 성능을 크게 향상시켜요. 최근 AI 시장이 매우 가파르게 성장하면서 많은 데이터 처리가 필요한 AI 기술에 적합한 메모리로 주목 받고 있어요.

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