Logo
HAN
[삼성전자, 9만 전자 가능할까? - ②엔비디아 CEO, 젠슨 황이 극찬한 HBM3E] 삼성전자는 세계 최초로 12단 적층 HBM3E 제품 개발에 성공해 고객사에 샘플을 공급했다고 지난달에 밝혔어요. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 데이터 처리 속도를 획기적으로 높인 메모리 칩이에요. 단수가 높을수록 높은 퍼포먼스를 보이지만 기존과 동일한 두께 내에서 단수를 늘려야 하는 조건이 있어서 굉장히 어려운 기술이 요구됩니다.
HAN
*D램(Dynamic Random Access Memory): 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 RAM에 저장되며 전원이 차단되면 내용이 지워져요. DRAM은 램의 한 종류로 저장된 정보가 시간에 따라 소멸되므로 주기적으로 재생시켜야 해요. 구조가 간단해 집적이 용이하여 대용량 임시 기억장치로 사용돼요.
답글 0
앱에서 답글을 남겨보세요

앱에서 답글을 남겨보세요

앱에서만 동작해요
링크가 복사되었어요