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[삼성전자, 9만 전자 가능할까? - ③삼성의 12단 HBM3E가 하이닉스보다 뛰어난 이유는 무엇일까?] 삼성전자는 HBM에서 D램을 쌓을 때 각각의 칩 사이에 얇은 비전도성 필름(NCF)을 넣고 열로 압착하는 방식을 사용하여 칩과 칩 사이의 공간을 완전히 메울 수 있는 적층 공정으로, Advanced TC NCF 방식을 사용하고 있어요. 반면에 SK 하이닉스는 칩과 칩 사이를 액체 형태의 보호재를 주입하여 굳히는 방식인 MR-MUF 방식을 사용하고 있어요.
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HBM 8단 제품까지는 MR-MUF 방식이 NCF 방식에 비해 생산성이 좋았어요. 그런데 단수가 점점 높아지는 상황에서는 MR-MUF 방식은 칩이 휘어지는 기술적인 문제가 발생할 가능성이 있어서 높은 단수의 HBM에서는 NCF 방식이 더 유리하다고 평가 받고 있어요😃 삼성전자는 최근 주주총회에서 올해 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM 시장의 주도권을 찾겠다는 포부를 보였어요😄 앞으로의 치열한 HBM 싸움에서 SK하이닉스와 삼성전자가 어떤 행보를 보일지 너무 기대됩니다~😄
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